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一款0.1GHz~3.0GHz线性功率放大器芯片设计-中国新技术新产品2025年20期

一款0.1GHz~3.0GHz线性功率放大器芯片设计

作者:汪江涛 陈晓宇 刘帅 蔡道民 吴磊 字体:      

中图分类号:TN492 文献标志码:A

GaAsE-PHEMT器件具有单电源、线性高、增益高和噪声低等特征,可以广泛应用于无线通信领域。基于GaAsE-PHEMT器件制作的功率放大器比较少,因此限制了E-PHEMT器件在正压下工作,与前向(试读)...

中国新技术新产品

2025年第20期