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基于VMD-SSA-LSTM的IGBT寿命预测模型研究-中国新技术新产品2025年18期

基于VMD-SSA-LSTM的IGBT寿命预测模型研究

作者:周志霞 甘武 字体:      

中图分类号:TN11

文献标志码:A

绝缘栅双极型晶体管(Insulated GateBipolar Transistor,IGBT)是进行电能转换的关键电子元器件。YANGS等1统计, 38% 的变流器系统故障由IGBT失效导致。为保障电力电子变流设备稳定(试读)...

中国新技术新产品

2025年第18期